ON Semiconductor FDP025N06 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
265 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
9.9мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
174 нКл при 10 В
Ширина
4.5мм
Высота
15.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 256,07
тг 1 256,07 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 256,07
тг 1 256,07 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 1 256,07 |
| 10 - 99 | тг 1 211,37 |
| 100 - 499 | тг 1 171,14 |
| 500 - 999 | тг 1 121,97 |
| 1000+ | тг 1 099,62 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
265 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
9.9мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
174 нКл при 10 В
Ширина
4.5мм
Высота
15.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.