Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
265 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7мм
Длина
10.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
174 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 52 746,00
тг 1 054,92 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
тг 52 746,00
тг 1 054,92 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Труба |
---|---|---|
50 - 200 | тг 1 054,92 | тг 52 746,00 |
250 - 450 | тг 1 037,04 | тг 51 852,00 |
500+ | тг 1 014,69 | тг 50 734,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
265 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
395 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7мм
Длина
10.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
174 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.