Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
WDFN
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
156mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
78W
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.75мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
WDFN
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
156mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
78W
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.75мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.