Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
24A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
150V
Корпус
PQFN-8
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
103mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
78W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
31nC
Прямое напряжение (Vf)
1V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.75мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
24A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
150V
Корпус
PQFN-8
Серия
UltraFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
103mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
78W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
31nC
Прямое напряжение (Vf)
1V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
0.75мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.