Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipОбъем памяти
1MB
Тип продукции
Флэш-память
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
TSOP
Число контактов
32
Организация
128k x 8
Тип монтажа
Поверхность
Тип ячейки
Расщепленный строб-импульс
Минимальное напряжение питания
2.7V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
3.6V
Тип синхронизации
Несинхронный
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Материал каски/сварочной маски
1.05мм
Длина
8.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
12.5 mm
Количество бит на слово
8
Ток питания
20mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Серия
SST39
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
128k
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
The SST39VF010 is a 128K x8CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39VF010 device writes (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power supply.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipОбъем памяти
1MB
Тип продукции
Флэш-память
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
TSOP
Число контактов
32
Организация
128k x 8
Тип монтажа
Поверхность
Тип ячейки
Расщепленный строб-импульс
Минимальное напряжение питания
2.7V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
3.6V
Тип синхронизации
Несинхронный
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Материал каски/сварочной маски
1.05мм
Длина
8.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
12.5 mm
Количество бит на слово
8
Ток питания
20mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Серия
SST39
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
128k
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
The SST39VF010 is a 128K x8CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39VF010 device writes (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power supply.