Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 537 результатов
Delkin Devices
Память
-
32Гбайт
SD
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
Вставное крепление
NAND
-
2.7V
3.6V
-
-
Hs400 DDR
-
-40°C
85°C
-
1мм
11.5 mm
RoHS
-
13мм
-
G632
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Delkin Devices
Память
-
64GB
SD
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
Вставное крепление
NAND
-
2.7V
3.6V
-
-
Hs400 DDR
-
-40°C
85°C
-
1мм
11.5 mm
RoHS
-
13мм
-
G632
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Delkin Devices
Память
-
2GB
КМОП (CMOS)
-
-
SOT-363
-
50
-
-
-
Поверхностный монтаж
SLC
-
3.3V
5V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
3.3мм
42.8мм
RoHS Compliant
-
36.4мм
-
Industrial C600
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microchip
Последовательная флэш-память SPI
-
16MB
SPI, SQI
-
-
SOIC
-
8
-
16 MB
104MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
2.7V
3.6V
-
-
Синхронный
-
-40°C
85°C
-
1.75мм
3.9 mm
RoHS
-
4.9мм
-
SST26
-
1
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
15mA
-
-
Microchip
Флэш-память
-
512kB
Аудио, Ethernet, USB
-
-
LQFP
-
64
-
-
1MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
1.7V
3.6V
-
-
SRAM
-
-40°C
105°C
-
-
-
RoHS
-
10мм
-
ATSAMV70J19
-
-
AEC-Q100
-
-
-
32
-
-
-
-
-
Microchip
Флэш-память
-
512kB
Аудио, Ethernet, USB
-
-
LQFP
-
64
-
-
300MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
1.7V
3.6V
-
-
SRAM
-
-40°C
105°C
-
-
-
RoHS
-
10мм
-
ATSAMV70J19
-
-
AEC-Q100
-
-
-
32
-
-
-
-
-
Microchip
Последовательная флэш-память SPI
-
2MB
Последовательный
-
-
WSON
-
8
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-
-40°C
125°C
-
0.8мм
-
RoHS
-
6мм
-
SST26VF016B
-
-
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
Microchip
Последовательная флэш-память SPI
-
4MB
Последовательный
-
-
SOIC
-
8
-
-
20MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-
-40°C
125°C
-
1.75мм
-
RoHS
-
4.9мм
-
SST25PF040C
-
-
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
Microchip
Последовательная флэш-память SPI
-
4MB
Последовательный
-
-
UDFN
-
8
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-
-40°C
105°C
-
0.6мм
-
RoHS
-
3мм
-
SST25PF040C
-
-
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
128GB
eMMC
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
-
NAND
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
-
-
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
32Гбайт
eMMC
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
-
NAND
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
-
-
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
64GB
eMMC
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
-
NAND
-
1.8V
3.3V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
-
-
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
128MB
Последовательный
-
-
8L WSON
-
8
-
-
2133MHz
-
NOR
-
0.6V
5.5V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
8.1мм
-
AS25F1128MQ-70WIN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
128MB
Последовательный
-
-
SOIC
-
8
-
-
133MHz
-
NOR
-
1.65V
1.95V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
2.16мм
-
RoHS
-
8.1мм
-
AS25F1128MQ-70SIN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
16MB
Последовательный
-
-
SOIC
-
8
-
-
104MHz
-
NOR
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
3.7mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
4MB
Последовательный
-
-
SOIC
-
8
-
-
104MHz
-
NOR
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F304MD-10S1IN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
64MB
Последовательный
-
-
8L WSON
-
8
-
-
104MHz
-
NOR
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
25mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
64MB
Последовательный
-
-
SOIC
-
8
-
-
104MHz
-
NOR
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
Нет
-
-
-
2
-
-
25mA
-
-
Alliance Memory
Флэш-память
-
10GB
eMMC
-
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
200МГц
-
SLC
-
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
85°C
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
...



















