Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 534 результатов
Microchip
16MB
-
Последовательная флэш-память SPI
SPI, SQI
-
-
SOIC
8
-
-
16 MB
104MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
3.6V
2.7V
-
-
Синхронный
-40°C
-
85°C
-
4.9мм
RoHS
-
1.75мм
3.9 mm
-
-
SST26
-
-
-
8
-
AEC-Q100
-
-
-
15mA
1
Microchip
512kB
-
Флэш-память
Аудио, Ethernet, USB
-
-
LQFP
64
-
-
-
1MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
3.6V
1.7V
-
-
SRAM
-40°C
-
105°C
-
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
32
-
AEC-Q100
-
-
-
-
-
Microchip
512kB
-
Флэш-память
Аудио, Ethernet, USB
-
-
LQFP
64
-
-
-
300MHz
Поверхностный монтаж
Вспышка
-
3.6V
1.7V
-
-
SRAM
-40°C
-
105°C
-
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
32
-
AEC-Q100
-
-
-
-
-
Microchip
2MB
-
Последовательная флэш-память SPI
Последовательный
-
-
WSON
8
-
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
2.3V
-
-
Синхронный
-40°C
-
125°C
-
6мм
RoHS
-
0.8мм
-
-
-
SST26VF016B
-
-
-
8
-
AEC-Q100
-
-
-
50mA
-
Microchip
4MB
-
Последовательная флэш-память SPI
Последовательный
-
-
SOIC
8
-
-
-
20MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
2.3V
-
-
Синхронный
-40°C
-
125°C
-
4.9мм
RoHS
-
1.75мм
-
-
-
SST25PF040C
-
-
-
8
-
AEC-Q100
-
-
-
50mA
-
Microchip
4MB
-
Последовательная флэш-память SPI
Последовательный
-
-
UDFN
8
-
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
2.3V
-
-
Синхронный
-40°C
-
105°C
-
3мм
RoHS
-
0.6мм
-
-
-
SST25PF040C
-
-
-
8
-
AEC-Q100
-
-
-
50mA
-
Alliance Memory
128GB
-
Флэш-память
eMMC
-
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
-
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
Alliance Memory
32Гбайт
-
Флэш-память
eMMC
-
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
-
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
Alliance Memory
64GB
-
Флэш-память
eMMC
-
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
-
3.3V
1.8V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
-
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
Alliance Memory
128MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
8L WSON
8
-
-
-
2133MHz
-
NOR
-
5.5V
0.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
8.1мм
RoHS
-
-
15 mm
-
-
AS25F1128MQ-70WIN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
27mA
-
Alliance Memory
128MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
SOIC
8
-
-
-
133MHz
-
NOR
-
1.95V
1.65V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
8.1мм
RoHS
-
2.16мм
5.38 mm
-
-
AS25F1128MQ-70SIN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
27mA
-
Alliance Memory
16MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
SOIC
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
3.7mA
-
Alliance Memory
4MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
SOIC
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
AS25F304MD-10S1IN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
27mA
-
Alliance Memory
64MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
8L WSON
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
25mA
-
Alliance Memory
64MB
-
Флэш-память
Последовательный
-
-
SOIC
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
-
2
-
Нет
-
-
-
25mA
-
Alliance Memory
10GB
-
Флэш-память
eMMC
-
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
200MHz
-
SLC
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
Alliance Memory
5GB
-
Флэш-память
eMMC
-
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
200MHz
-
SLC
-
3.6V
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
Commercial, Industrial, Extended, automotive
-
-
-
-
-
ASFC5G31P3-51BIN
-
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
Alliance Memory
4GB
-
Флэш-память
Параллельный
-
-
63-Ball FBGA
63
-
-
-
-
-
SLC NAND
-
3.6V
1.7V
-
-
-
-40°C
-
105°C
-
11мм
ONFI 1.0, RoHS
-
1мм
9 mm
-
-
AS9Fxx
30μs
-
-
4
-
Нет
-
-
-
-
-
...



















