Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 537 результатов
Delkin Devices
-
Память
32Гбайт
SD
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
Вставное крепление
200МГц
NAND
-
3.6V
-
2.7V
Hs400 DDR
-
-
-40°C
-
85°C
13мм
RoHS
11.5 mm
-
1мм
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G632
Delkin Devices
-
Память
64GB
SD
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
Вставное крепление
200МГц
NAND
-
3.6V
-
2.7V
Hs400 DDR
-
-
-40°C
-
85°C
13мм
RoHS
11.5 mm
-
1мм
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G632
Delkin Devices
-
Память
2GB
КМОП (CMOS)
-
SOT-363
-
50
-
-
-
Поверхностный монтаж
-
SLC
-
5V
-
3.3V
-
-
-
-40°C
-
85°C
36.4мм
RoHS Compliant
42.8мм
-
3.3мм
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Industrial C600
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
16MB
SPI, SQI
-
SOIC
-
8
-
-
16 MB
Поверхностный монтаж
104MHz
Вспышка
-
3.6V
-
2.7V
Синхронный
-
-
-40°C
-
85°C
4.9мм
RoHS
3.9 mm
-
1.75мм
-
1
AEC-Q100
15mA
-
-
-
-
-
-
-
-
8
SST26
Microchip
-
Флэш-память
512kB
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
-
64
-
-
-
Поверхностный монтаж
1MHz
Вспышка
-
3.6V
-
1.7V
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
ATSAMV70J19
Microchip
-
Флэш-память
512kB
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
-
64
-
-
-
Поверхностный монтаж
300MHz
Вспышка
-
3.6V
-
1.7V
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
ATSAMV70J19
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
2MB
Последовательный
-
WSON
-
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
-
2.3V
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
6мм
RoHS
-
-
0.8мм
-
-
AEC-Q100
50mA
-
-
-
-
-
-
-
-
8
SST26VF016B
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
Последовательный
-
SOIC
-
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
20MHz
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
-
2.3V
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
4.9мм
RoHS
-
-
1.75мм
-
-
AEC-Q100
50mA
-
-
-
-
-
-
-
-
8
SST25PF040C
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
Последовательный
-
UDFN
-
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
Расщепленный строб-импульс
-
3.6V
-
2.3V
Синхронный
-
-
-40°C
-
105°C
3мм
RoHS
-
-
0.6мм
-
-
AEC-Q100
50mA
-
-
-
-
-
-
-
-
8
SST25PF040C
Alliance Memory
-
Флэш-память
128GB
eMMC
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
-
200МГц
NAND
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
ASFC128G32T5-51BIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
32Гбайт
eMMC
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
-
200МГц
NAND
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
ASFC32G31T3-51BIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
64GB
eMMC
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
-
200МГц
NAND
-
3.3V
-
1.8V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
ASFC64G31T5-51BIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
Последовательный
-
8L WSON
-
8
-
-
-
-
2133MHz
NOR
-
5.5V
-
0.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
8.1мм
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
27mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F1128MQ-70WIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
Последовательный
-
SOIC
-
8
-
-
-
-
133MHz
NOR
-
1.95V
-
1.65V
-
-
-
-40°C
-
85°C
8.1мм
RoHS
-
-
2.16мм
-
-
Нет
27mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F1128MQ-70SIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
16MB
Последовательный
-
SOIC
-
8
-
-
-
-
104MHz
NOR
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
3.7mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F316MQ-10S1IN
Alliance Memory
-
Флэш-память
4MB
Последовательный
-
SOIC
-
8
-
-
-
-
104MHz
NOR
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
27mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F304MD-10S1IN
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
Последовательный
-
8L WSON
-
8
-
-
-
-
104MHz
NOR
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
25mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F364MQ-10SIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
Последовательный
-
SOIC
-
8
-
-
-
-
104MHz
NOR
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
25mA
-
-
-
-
-
-
-
-
2
AS25F364MQ-10SIN
Alliance Memory
-
Флэш-память
10GB
eMMC
-
153-шариковый FBGA
-
153
-
-
-
-
200МГц
SLC
-
3.6V
-
2.7V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
AS25F364MQ-10SIN
...



















