Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 534 результатов
Microchip
16MB
Последовательная флэш-память SPI
-
SPI, SQI
-
SOIC
-
-
8
16 MB
-
Поверхностный монтаж
104MHz
-
Вспышка
3.6V
2.7V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
85°C
1.75мм
RoHS
4.9мм
-
3.9 mm
-
15mA
8
AEC-Q100
-
1
-
-
-
-
-
-
SST26
-
Microchip
512kB
Флэш-память
-
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
-
-
64
-
-
Поверхностный монтаж
1MHz
-
Вспышка
3.6V
1.7V
-
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
-
RoHS
10мм
-
-
-
-
32
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
ATSAMV70J19
-
Microchip
512kB
Флэш-память
-
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
-
-
64
-
-
Поверхностный монтаж
300MHz
-
Вспышка
3.6V
1.7V
-
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
-
RoHS
10мм
-
-
-
-
32
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
ATSAMV70J19
-
Microchip
2MB
Последовательная флэш-память SPI
-
Последовательный
-
WSON
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
-
Расщепленный строб-импульс
3.6V
2.3V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
0.8мм
RoHS
6мм
-
-
-
50mA
8
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
SST26VF016B
-
Microchip
4MB
Последовательная флэш-память SPI
-
Последовательный
-
SOIC
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
20MHz
-
Расщепленный строб-импульс
3.6V
2.3V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
1.75мм
RoHS
4.9мм
-
-
-
50mA
8
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
SST25PF040C
-
Microchip
4MB
Последовательная флэш-память SPI
-
Последовательный
-
UDFN
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
-
Расщепленный строб-импульс
3.6V
2.3V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
105°C
0.6мм
RoHS
3мм
-
-
-
50mA
8
AEC-Q100
-
-
-
-
-
-
-
-
SST25PF040C
-
Alliance Memory
128GB
Флэш-память
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
-
Alliance Memory
32Гбайт
Флэш-память
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
-
Alliance Memory
64GB
Флэш-память
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
-
NAND
3.3V
1.8V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
-
Alliance Memory
128MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
8L WSON
-
-
8
-
-
-
2133MHz
-
NOR
5.5V
0.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
8.1мм
-
15 mm
-
27mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F1128MQ-70WIN
-
Alliance Memory
128MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
SOIC
-
-
8
-
-
-
133MHz
-
NOR
1.95V
1.65V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
2.16мм
RoHS
8.1мм
-
5.38 mm
-
27mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F1128MQ-70SIN
-
Alliance Memory
16MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
3.7mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
-
Alliance Memory
4MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
27mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F304MD-10S1IN
-
Alliance Memory
64MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
8L WSON
-
-
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
25mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
Alliance Memory
64MB
Флэш-память
-
Последовательный
-
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
-
NOR
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
25mA
2
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
Alliance Memory
10GB
Флэш-память
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
-
SLC
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
Alliance Memory
5GB
Флэш-память
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
-
SLC
3.6V
2.7V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
Commercial, Industrial, Extended, automotive
-
-
-
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
-
-
-
ASFC5G31P3-51BIN
-
Alliance Memory
4GB
Флэш-память
-
Параллельный
-
63-Ball FBGA
-
-
63
-
-
-
-
-
SLC NAND
3.6V
1.7V
-
-
-
-
-40°C
-
105°C
1мм
ONFI 1.0, RoHS
11мм
-
9 mm
-
-
4
Нет
-
-
-
-
-
30μs
-
-
AS9Fxx
-
...



















