Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 534 результатов
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
16MB
-
SPI, SQI
SOIC
-
-
8
16 MB
-
Поверхностный монтаж
104MHz
Вспышка
-
-
3.6V
2.7V
Синхронный
-
-40°C
-
-
85°C
4.9мм
RoHS
3.9 mm
1.75мм
-
-
-
-
8
-
-
-
AEC-Q100
-
-
SST26
1
-
15mA
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
LQFP
-
-
64
-
-
Поверхностный монтаж
1MHz
Вспышка
-
-
3.6V
1.7V
SRAM
-
-40°C
-
-
105°C
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
-
32
-
-
-
AEC-Q100
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
LQFP
-
-
64
-
-
Поверхностный монтаж
300MHz
Вспышка
-
-
3.6V
1.7V
SRAM
-
-40°C
-
-
105°C
10мм
RoHS
-
-
-
-
-
-
32
-
-
-
AEC-Q100
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
2MB
-
Последовательный
WSON
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
Расщепленный строб-импульс
-
-
3.6V
2.3V
Синхронный
-
-40°C
-
-
125°C
6мм
RoHS
-
0.8мм
-
-
-
-
8
-
-
-
AEC-Q100
-
-
SST26VF016B
-
-
50mA
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
20MHz
Расщепленный строб-импульс
-
-
3.6V
2.3V
Синхронный
-
-40°C
-
-
125°C
4.9мм
RoHS
-
1.75мм
-
-
-
-
8
-
-
-
AEC-Q100
-
-
SST25PF040C
-
-
50mA
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
UDFN
-
-
8
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
Расщепленный строб-импульс
-
-
3.6V
2.3V
Синхронный
-
-40°C
-
-
105°C
3мм
RoHS
-
0.6мм
-
-
-
-
8
-
-
-
AEC-Q100
-
-
SST25PF040C
-
-
50mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
128GB
-
eMMC
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
NAND
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Нет
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
32Гбайт
-
eMMC
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
NAND
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Нет
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
64GB
-
eMMC
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
NAND
-
-
3.3V
1.8V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Нет
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
8L WSON
-
-
8
-
-
-
2133MHz
NOR
-
-
5.5V
0.6V
-
-
-40°C
-
-
85°C
8.1мм
RoHS
15 mm
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F1128MQ-70WIN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
-
133MHz
NOR
-
-
1.95V
1.65V
-
-
-40°C
-
-
85°C
8.1мм
RoHS
5.38 mm
2.16мм
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F1128MQ-70SIN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
16MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
NOR
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
-
-
3.7mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
4MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
NOR
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F304MD-10S1IN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
8L WSON
-
-
8
-
-
-
104MHz
NOR
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
25mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
-
104MHz
NOR
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
Нет
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
25mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
10GB
-
eMMC
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
SLC
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Нет
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
5GB
-
eMMC
153-Ball FBGA
-
-
153
-
-
-
200MHz
SLC
-
-
3.6V
2.7V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
Commercial, Industrial, Extended, automotive
-
-
-
-
-
-
4
-
-
-
Нет
-
-
ASFC5G31P3-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
4GB
-
Параллельный
63-Ball FBGA
-
-
63
-
-
-
-
SLC NAND
-
-
3.6V
1.7V
-
-
-40°C
-
-
105°C
11мм
ONFI 1.0, RoHS
9 mm
1мм
-
-
-
-
4
-
-
30μs
Нет
-
-
AS9Fxx
-
-
-
...



















