Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 537 результатов
Delkin Devices
-
Память
32Гбайт
-
SD
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
Вставное крепление
-
NAND
2.7V
3.6V
-
Hs400 DDR
-
-
-40°C
-
85°C
11.5 mm
1мм
RoHS
13мм
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
G632
-
-
-
Delkin Devices
-
Память
64GB
-
SD
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
Вставное крепление
-
NAND
2.7V
3.6V
-
Hs400 DDR
-
-
-40°C
-
85°C
11.5 mm
1мм
RoHS
13мм
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
G632
-
-
-
Delkin Devices
-
Память
2GB
-
КМОП (CMOS)
SOT-363
-
-
50
-
-
-
Поверхностный монтаж
-
SLC
3.3V
5V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
42.8мм
3.3мм
RoHS Compliant
36.4мм
-
-
-
-
-
-
Нет
-
-
-
-
Industrial C600
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
16MB
-
SPI, SQI
SOIC
-
-
8
16 MB
-
104MHz
Поверхностный монтаж
-
Вспышка
2.7V
3.6V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
85°C
3.9 mm
1.75мм
RoHS
4.9мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
8
-
-
SST26
-
1
15mA
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
LQFP
-
-
64
-
-
1MHz
Поверхностный монтаж
-
Вспышка
1.7V
3.6V
-
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
-
-
RoHS
10мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
32
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
LQFP
-
-
64
-
-
300MHz
Поверхностный монтаж
-
Вспышка
1.7V
3.6V
-
SRAM
-
-
-40°C
-
105°C
-
-
RoHS
10мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
32
-
-
ATSAMV70J19
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
2MB
-
Последовательный
WSON
-
-
8
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
-
0.8мм
RoHS
6мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
8
-
-
SST26VF016B
-
-
50mA
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
20MHz
Поверхностный монтаж
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
125°C
-
1.75мм
RoHS
4.9мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
8
-
-
SST25PF040C
-
-
50mA
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
UDFN
-
-
8
-
-
40MHz
Поверхностный монтаж
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
Синхронный
-
-
-40°C
-
105°C
-
0.6мм
RoHS
3мм
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
-
8
-
-
SST25PF040C
-
-
50mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
128GB
-
eMMC
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
-
-
NAND
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
4
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
32Гбайт
-
eMMC
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
-
-
NAND
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
4
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
64GB
-
eMMC
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
-
-
NAND
1.8V
3.3V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
4
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
8L WSON
-
-
8
-
-
2133MHz
-
-
NOR
0.6V
5.5V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
8.1мм
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F1128MQ-70WIN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
133MHz
-
-
NOR
1.65V
1.95V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
2.16мм
RoHS
8.1мм
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F1128MQ-70SIN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
16MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
104MHz
-
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
-
-
3.7mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
4MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
104MHz
-
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F304MD-10S1IN
-
-
27mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
8L WSON
-
-
8
-
-
104MHz
-
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
25mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
SOIC
-
-
8
-
-
104MHz
-
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
2
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
25mA
Alliance Memory
-
Флэш-память
10GB
-
eMMC
153-шариковый FBGA
-
-
153
-
-
200МГц
-
-
SLC
2.7V
3.6V
-
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
-
4
-
-
AS25F364MQ-10SIN
-
-
-
...



















