Флэш-память
Flash memory is a type of non-volatile memory storage. This means that it can be electrically erased and programmed at byte-level, and it retains data regardless of a power source. Flash memory ICs are used within circuits to add data storage to an application.
Flash memory is a type of EEPROM (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory). EEPROM ICs can erase any byte of memory...
Вы просматриваете 1-20 из 534 результатов
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
16MB
-
SPI, SQI
-
SOIC
8
-
16 MB
-
Поверхностный монтаж
104MHz
-
Вспышка
2.7V
3.6V
-
-
Синхронный
-40°C
-
85°C
-
-
4.9мм
1.75мм
RoHS
3.9 mm
-
-
SST26
AEC-Q100
-
-
-
8
1
-
15mA
-
-
-
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
64
-
-
-
Поверхностный монтаж
1MHz
-
Вспышка
1.7V
3.6V
-
-
SRAM
-40°C
-
105°C
-
-
10мм
-
RoHS
-
-
-
ATSAMV70J19
AEC-Q100
-
-
-
32
-
-
-
-
-
-
Microchip
-
Флэш-память
512kB
-
Аудио, Ethernet, USB
-
LQFP
64
-
-
-
Поверхностный монтаж
300MHz
-
Вспышка
1.7V
3.6V
-
-
SRAM
-40°C
-
105°C
-
-
10мм
-
RoHS
-
-
-
ATSAMV70J19
AEC-Q100
-
-
-
32
-
-
-
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
2MB
-
Последовательный
-
WSON
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-40°C
-
125°C
-
-
6мм
0.8мм
RoHS
-
-
-
SST26VF016B
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
-
SOIC
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
20MHz
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-40°C
-
125°C
-
-
4.9мм
1.75мм
RoHS
-
-
-
SST25PF040C
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
-
Microchip
-
Последовательная флэш-память SPI
4MB
-
Последовательный
-
UDFN
8
-
-
-
Поверхностный монтаж
40MHz
-
Расщепленный строб-импульс
2.3V
3.6V
-
-
Синхронный
-40°C
-
105°C
-
-
3мм
0.6мм
RoHS
-
-
-
SST25PF040C
AEC-Q100
-
-
-
8
-
-
50mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
128GB
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
-
200MHz
-
NAND
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
ASFC128G32T5-51BIN
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
32Гбайт
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
-
200MHz
-
NAND
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
automotive, Industrial, Commercial, Extended
-
-
-
ASFC32G31T3-51BIN
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
64GB
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
-
200MHz
-
NAND
1.8V
3.3V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
ASFC64G31T5-51BIN
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
-
8L WSON
8
-
-
-
-
2133MHz
-
NOR
0.6V
5.5V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
8.1мм
-
RoHS
15 mm
-
-
AS25F1128MQ-70WIN
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
128MB
-
Последовательный
-
SOIC
8
-
-
-
-
133MHz
-
NOR
1.65V
1.95V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
8.1мм
2.16мм
RoHS
5.38 mm
-
-
AS25F1128MQ-70SIN
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
16MB
-
Последовательный
-
SOIC
8
-
-
-
-
104MHz
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F316MQ-10S1IN
Нет
-
-
-
2
-
-
3.7mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
4MB
-
Последовательный
-
SOIC
8
-
-
-
-
104MHz
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F304MD-10S1IN
Нет
-
-
-
2
-
-
27mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
-
8L WSON
8
-
-
-
-
104MHz
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
Нет
-
-
-
2
-
-
25mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
64MB
-
Последовательный
-
SOIC
8
-
-
-
-
104MHz
-
NOR
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
Нет
-
-
-
2
-
-
25mA
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
10GB
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
-
200MHz
-
SLC
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
-
AS25F364MQ-10SIN
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
5GB
-
eMMC
-
153-Ball FBGA
153
-
-
-
-
200MHz
-
SLC
2.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
Commercial, Industrial, Extended, automotive
-
-
-
ASFC5G31P3-51BIN
Нет
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
Alliance Memory
-
Флэш-память
4GB
-
Параллельный
-
63-Ball FBGA
63
-
-
-
-
-
-
SLC NAND
1.7V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
105°C
-
-
11мм
1мм
ONFI 1.0, RoHS
9 mm
-
-
AS9Fxx
Нет
-
-
30μs
4
-
-
-
-
-
-
...



















