Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
140A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
12V
Корпус
TO-247
Серия
MSC035SMA070B4
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
8Ом
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
99nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
2 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
140A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
12V
Корпус
TO-247
Серия
MSC035SMA070B4
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
8Ом
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
99nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
2 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.