Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
170mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
400V
Корпус
TO-243
Серия
DN2540
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
25Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
1.6мм
Длина
4.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
2.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
170mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
400V
Корпус
TO-243
Серия
DN2540
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
25Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
1.6мм
Длина
4.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
2.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
