
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
400V
Корпус
TO-92
Серия
DN2540
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
25Ом
Номер канала
Опускание
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1W
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Длина
5.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.19 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 726,70
тг 272,67 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 726,70
тг 272,67 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 20 | тг 272,67 | тг 2 726,70 |
| 30 - 40 | тг 236,91 | тг 2 369,10 |
| 50 - 90 | тг 232,44 | тг 2 324,40 |
| 100+ | тг 210,09 | тг 2 100,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
400V
Корпус
TO-92
Серия
DN2540
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
25Ом
Номер канала
Опускание
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1W
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Длина
5.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.19 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.