Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
170mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
300V
Серия
DN2530
Корпус
TO-92
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
12Ом
Номер канала
Опускание
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
740mW
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
5.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.19 mm
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 279,70
тг 227,97 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 279,70
тг 227,97 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 20 | тг 227,97 | тг 2 279,70 |
| 30 - 40 | тг 192,21 | тг 1 922,10 |
| 50 - 90 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
| 100+ | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
170mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
300V
Серия
DN2530
Корпус
TO-92
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
12Ом
Номер канала
Опускание
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
740mW
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
5.2мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.19 mm
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.