Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
230mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-92
Серия
2N7008
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7.5Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Длина
5.08мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Microchip 2N7008 is an enhancement-mode (normally off) transistor that utilises a vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)
Производственная упаковка (Сумка)
25
P.O.A.
Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Сумка)
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
230mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-92
Серия
2N7008
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7.5Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Длина
5.08мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The Microchip 2N7008 is an enhancement-mode (normally off) transistor that utilises a vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
