STMicroelectronics DeepGate, STripFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK

Brand

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

110A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

H2PAK

Серия

DeepGate, STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.9mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

117nC

Прямое напряжение (Vf)

1.2V

Максимальная рабочая температура

175°C

Материал каски/сварочной маски

4.8мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет