Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
42A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-263
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
63mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
98nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
42A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
710V
Корпус
TO-263
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
63mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
250W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
98nC
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
