Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Одиночные МОП-транзисторы
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
115mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-23
Серия
2N7002
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7.5Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
0.36W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
1.12мм
Стандарты/одобрения
Lead (Pb)-free/RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
The Microchip N-Channel a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Одиночные МОП-транзисторы
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
115mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
SOT-23
Серия
2N7002
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
7.5Ом
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
30nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
0.36W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
1.12мм
Стандарты/одобрения
Lead (Pb)-free/RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
The Microchip N-Channel a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
