ON Semiconductor NTR2101PT1G МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм