onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Код товара RS: 790-5274PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR2101PT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать