Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.54мм
Ширина
4.69мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
8.77мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.54мм
Ширина
4.69мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
8.77мм