Infineon IRF3710PBF MOSFET

Код товара RS: 540-9812Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF3710PBFDistrelec Article No.: 30284009
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 059,39

тг 1 059,39 Each (ex VAT)

Infineon IRF3710PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 059,39
2тг 2 118,78
3тг 3 178,17
4тг 4 237,56
5тг 5 296,95
6тг 6 356,34
7тг 7 415,73
8тг 8 475,12
9тг 9 534,51
10тг 10 593,90
11тг 11 653,29
12тг 12 712,68
13тг 13 772,07
14тг 14 831,46
15тг 15 890,85

тг 1 059,39

тг 1 059,39 Each (ex VAT)

Infineon IRF3710PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 059,39
2тг 2 118,78
3тг 3 178,17
4тг 4 237,56
5тг 5 296,95
6тг 6 356,34
7тг 7 415,73
8тг 8 475,12
9тг 9 534,51
10тг 10 593,90
11тг 11 653,29
12тг 12 712,68
13тг 13 772,07
14тг 14 831,46
15тг 15 890,85

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 059,39
25 - 99тг 563,22
100 - 249тг 509,58
250 - 499тг 500,64
500+тг 464,88
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать