Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
21 мА
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
SIPMOS
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
700 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 600 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 625 - 2475 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
| 2500 - 12475 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
| 12500 - 74975 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 75000+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
21 мА
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
SIPMOS
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
700 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.