Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Код товара RS: 826-8245Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS126H6327XTSA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Select packaging type

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 174,33тг 1 743,30
100 - 490тг 138,57тг 1 385,70
500 - 1490тг 107,28тг 1 072,80
1500 - 2990тг 102,81тг 1 028,10
3000+тг 93,87тг 938,70
Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)