Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 мА
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
700 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
тг 1 743,30
тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 743,30
тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 90 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
100 - 490 | тг 138,57 | тг 1 385,70 |
500 - 1490 | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
1500 - 2990 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
3000+ | тг 93,87 | тг 938,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 мА
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
700 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,4 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China