Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
28A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
STB37N60
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
94mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
210W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
54nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
15.85мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Ширина
10.4 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
28A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
STB37N60
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
94mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
210W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
54nC
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
15.85мм
Стандарты/одобрения
AEC-Q101
Ширина
10.4 mm
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
