Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
ST
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.115Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
190W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
35nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
15.85мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
25A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
600V
Корпус
TO-263
Серия
ST
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
0.115Ом
Номер канала
Опускание
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
190W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
35nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
15.85мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.6 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
