Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
B-2
Серия
RF2L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
2
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
20.57мм
Материал каски/сварочной маски
3.61мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Типичный коэффициент усиления по мощности
12.5dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF2L36075CF2 is a 75 W internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base stations and S-Band radar applications in the frequency range from 3.1 to 3.6 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical cellular base station modulation formats.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 120) (ex VAT)
120
P.O.A.
Each (On a Reel of 120) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
120
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
B-2
Серия
RF2L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
2
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
20.57мм
Материал каски/сварочной маски
3.61мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Типичный коэффициент усиления по мощности
12.5dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF2L36075CF2 is a 75 W internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base stations and S-Band radar applications in the frequency range from 3.1 to 3.6 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical cellular base station modulation formats.