Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
65V
Корпус
B4E
Серия
RF2L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
27.94мм
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 120) (ex VAT)
120
P.O.A.
Each (On a Reel of 120) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
120
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
65V
Корпус
B4E
Серия
RF2L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Длина
27.94мм
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.