N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V

Код товара RS: 485-9165Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: IRF640

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Высота

15.75мм

Ширина

4.6мм

Вас может заинтересовать
Vishay IRF640PBF MOSFET
тг 24 079,89Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay IRF640PBF MOSFET
тг 24 079,89Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Высота

15.75мм

Ширина

4.6мм

Вас может заинтересовать
Vishay IRF640PBF MOSFET
тг 24 079,89Each (In a Tube of 50) (ex VAT)