Vishay IRF640PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
18A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
TO-220
Серия
IRF640
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
180mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
70nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.7 mm
Материал каски/сварочной маски
9.01мм
Длина
10.41мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 24 079,89
тг 24 079,89 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
1
тг 24 079,89
тг 24 079,89 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 24 079,89 |
| 5 - 9 | тг 23 619,48 |
| 10 - 19 | тг 23 168,01 |
| 20 - 49 | тг 22 725,48 |
| 50+ | тг 22 287,42 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
18A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
200V
Корпус
TO-220
Серия
IRF640
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
180mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
70nC
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.7 mm
Материал каски/сварочной маски
9.01мм
Длина
10.41мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor