onsemi P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS84
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 670,50
тг 67,05 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 670,50
тг 67,05 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 50 - 90 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 100 - 240 | тг 26,82 | тг 268,20 |
| 250 - 490 | тг 26,82 | тг 268,20 |
| 500+ | тг 26,82 | тг 268,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.