Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 402,30
тг 40,23 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 402,30
тг 40,23 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 90 | тг 40,23 | тг 402,30 |
100 - 140 | тг 17,88 | тг 178,80 |
150 - 240 | тг 17,88 | тг 178,80 |
250 - 990 | тг 17,88 | тг 178,80 |
1000+ | тг 13,41 | тг 134,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре