Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-4720Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4532ADY-T1-E3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,13 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 2 816,10
20тг 5 632,20
30тг 8 448,30
40тг 11 264,40
50тг 13 857,00
60тг 16 628,40
70тг 19 399,80
80тг 22 171,20
90тг 24 942,60
100тг 26 373,00
110тг 29 010,30
120тг 31 647,60
130тг 34 284,90
140тг 36 922,20
150тг 39 559,50

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 2 816,10
20тг 5 632,20
30тг 8 448,30
40тг 11 264,40
50тг 13 857,00
60тг 16 628,40
70тг 19 399,80
80тг 22 171,20
90тг 24 942,60
100тг 26 373,00
110тг 29 010,30
120тг 31 647,60
130тг 34 284,90
140тг 36 922,20
150тг 39 559,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 281,61тг 2 816,10
50 - 90тг 277,14тг 2 771,40
100 - 240тг 263,73тг 2 637,30
250 - 490тг 245,85тг 2 458,50
500+тг 241,38тг 2 413,80
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,13 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать