Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3 А, 3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
53 мОм, 80 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,13 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 281,61 | тг 2 816,10 |
50 - 90 | тг 277,14 | тг 2 771,40 |
100 - 240 | тг 263,73 | тг 2 637,30 |
250 - 490 | тг 245,85 | тг 2 458,50 |
500+ | тг 241,38 | тг 2 413,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
3 А, 3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
53 мОм, 80 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,13 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Информация о товаре