Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-4720Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4532ADY-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,13 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET
Select packaging type

тг 2 816,10

тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4532ADY-T1-E3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 281,61тг 2 816,10
50 - 90тг 277,14тг 2 771,40
100 - 240тг 263,73тг 2 637,30
250 - 490тг 245,85тг 2 458,50
500+тг 241,38тг 2 413,80
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мОм, 80 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,13 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 8 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать