Infineon IRF9952PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А, 3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
100 mΩ, 250 mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В, 6,9 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 16 440,66
тг 16 440,66 1 Tube of 95 (ex VAT)
1
тг 16 440,66
тг 16 440,66 1 Tube of 95 (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 16 440,66 |
| 5 - 9 | тг 12 833,37 |
| 10 - 19 | тг 12 578,58 |
| 20 - 49 | тг 11 894,67 |
| 50+ | тг 10 678,83 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А, 3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
100 mΩ, 250 mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В, 6,9 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.