Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9952TRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А, 3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мОм, 400 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В, 6,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 218,40
тг 160,92 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 218,40
тг 160,92 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 160,92 | тг 3 218,40 |
| 100 - 480 | тг 134,10 | тг 2 682,00 |
| 500 - 1980 | тг 125,16 | тг 2 503,20 |
| 2000 - 3980 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 4000+ | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А, 3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мОм, 400 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В, 6,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.