Infineon IRF7807ZPBF МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
5
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм