Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,4 нКл при 10 В, 7,3 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 40 | P.O.A. |
50 - 90 | P.O.A. |
100 - 240 | P.O.A. |
250 - 490 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15,4 нКл при 10 В, 7,3 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре