Infineon IRF2804PBF МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 495-584Бренд: International RectifierПарт-номер производителя: IRF2804PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

280 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

330 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.02мм

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IRF2804PBF
тг 969,99Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

P.O.A.

Infineon IRF2804PBF МОП-транзистор (MOSFET)

P.O.A.

Infineon IRF2804PBF МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IRF2804PBF
тг 969,99Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

280 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

330 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.02мм

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IRF2804PBF
тг 969,99Each (In a Pack of 2) (ex VAT)