Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-220 IRF2804PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 969,99 | тг 1 939,98 |
| 10 - 18 | тг 822,48 | тг 1 644,96 |
| 20 - 38 | тг 733,08 | тг 1 466,16 |
| 40 - 98 | тг 643,68 | тг 1 287,36 |
| 100+ | тг 585,57 | тг 1 171,14 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.