RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor

Код товара RS: 325-7625PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: RFP50N06
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

MegaFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

131 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

125 нКл при 20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor
Select packaging type

Производственная упаковка (Лента )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Лента )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

MegaFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

131 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

125 нКл при 20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET
ON Semiconductor RFP50N06 MOSFETБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)