ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
50A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Серия
MegaFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
22mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
131W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
125nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.83 mm
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
50A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Серия
MegaFET
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
22mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
131W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
125nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.83 mm
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.