Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 343 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRLB3034PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
343 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
108 нКл при 4,5 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 869,74
тг 1 434,87 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 2 869,74
тг 1 434,87 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 434,87 | тг 2 869,74 |
| 10 - 18 | тг 858,24 | тг 1 716,48 |
| 20 - 38 | тг 844,83 | тг 1 689,66 |
| 40 - 98 | тг 826,95 | тг 1 653,90 |
| 100+ | тг 804,60 | тг 1 609,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
343 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
108 нКл при 4,5 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.