N-Channel MOSFET, 340 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3004PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
340 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
380 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.02мм
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 307,80
тг 1 653,90 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 3 307,80
тг 1 653,90 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 653,90 | тг 3 307,80 |
| 10 - 18 | тг 992,34 | тг 1 984,68 |
| 20 - 38 | тг 974,46 | тг 1 948,92 |
| 40 - 98 | тг 952,11 | тг 1 904,22 |
| 100+ | тг 898,47 | тг 1 796,94 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
340 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
380 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
160 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.02мм
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.