N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD024PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
3.37мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 652,62
тг 652,62 Each (ex VAT)
1
тг 652,62
тг 652,62 Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 652,62 |
| 5 - 19 | тг 420,18 |
| 20 - 49 | тг 254,79 |
| 50 - 99 | тг 236,91 |
| 100+ | тг 232,44 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
3.37мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor