N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRLD024PBF

Код товара RS: 541-0632Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRLD024PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.37мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 648,15

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRLD024PBF
Select packaging type

тг 648,15

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRLD024PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 648,15
25 - 99тг 299,49
100 - 249тг 259,26
250 - 499тг 227,97
500+тг 196,68
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5мм

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.37мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать