Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
29,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 567,69
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 567,69
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 567,69 | тг 2 838,45 |
50 - 245 | тг 460,41 | тг 2 302,05 |
250 - 495 | тг 366,54 | тг 1 832,70 |
500 - 995 | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
1000+ | тг 259,26 | тг 1 296,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.6мм
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
29,5 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.