Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
480V
Серия
STD
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
380mΩ
Номер канала
Опускание
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
92W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
10.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package has reduced switching losses. It also has lower RDS(on) per area vs previous generation.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
10A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
480V
Серия
STD
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
380mΩ
Номер канала
Опускание
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
13nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
92W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
6.6мм
Материал каски/сварочной маски
10.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package has reduced switching losses. It also has lower RDS(on) per area vs previous generation.