Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
PowerPAK ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,47 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Ширина
1.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26,2 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
PowerPAK ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,47 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В
Ширина
1.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
26,2 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре