Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
263 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,6 нКл при 8 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 107,28
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 107,28
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 250 | тг 107,28 | тг 5 364,00 |
300 - 550 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
600 - 1450 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
1500 - 2950 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
3000+ | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
263 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,6 нКл при 8 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре