Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3

Код товара RS: 812-3091Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI1922EDH-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

263 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 8 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 143,04Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 107,28

Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Select packaging type

тг 107,28

Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 250тг 107,28тг 5 364,00
300 - 550тг 80,46тг 4 023,00
600 - 1450тг 71,52тг 3 576,00
1500 - 2950тг 53,64тг 2 682,00
3000+тг 53,64тг 2 682,00
Вас может заинтересовать
Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 143,04Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

263 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 8 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI1912EDH-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 143,04Each (In a Pack of 10) (ex VAT)