Vishay SI1032R-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SC-75

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

0.86мм

Длина

1.68мм

Типичный заряд затвора при Vgs

750 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C