Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF

Код товара RS: 812-0660Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFU1N60APBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 4 067,70

тг 406,77 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF
Select packaging type

тг 4 067,70

тг 406,77 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 290тг 406,77тг 4 067,70
300 - 590тг 339,72тг 3 397,20
600 - 1490тг 317,37тг 3 173,70
1500 - 2990тг 250,32тг 2 503,20
3000+тг 232,44тг 2 324,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor