P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3

Код товара RS: 178-3883Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQJ481EP-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Select packaging type

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China