Texas Instruments CSD18504Q5A MOSFET

Код товара RS: 827-4883Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18504Q5A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 4,5 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 625,80

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments CSD18504Q5A MOSFET
Select packaging type

тг 625,80

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments CSD18504Q5A MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 625,80тг 3 129,00
50 - 95тг 464,88тг 2 324,40
100 - 245тг 433,59тг 2 167,95
250 - 495тг 371,01тг 1 855,05
500+тг 330,78тг 1 653,90

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 4,5 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments