Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
5,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9 нКл при 4,5 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 522,99
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 522,99
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 522,99 | тг 2 614,95 |
50 - 95 | тг 384,42 | тг 1 922,10 |
100 - 245 | тг 366,54 | тг 1 832,70 |
250 - 495 | тг 312,90 | тг 1 564,50 |
500+ | тг 277,14 | тг 1 385,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
5,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9 нКл при 4,5 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Серия
NexFET
Информация о товаре