N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A

Код товара RS: 827-4798Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD16413Q5A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9 нКл при 4,5 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Серия

NexFET

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 522,99

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Select packaging type

тг 522,99

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 522,99тг 2 614,95
50 - 95тг 384,42тг 1 922,10
100 - 245тг 366,54тг 1 832,70
250 - 495тг 312,90тг 1 564,50
500+тг 277,14тг 1 385,70

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9 нКл при 4,5 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Серия

NexFET

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments